Integral M Series - SSD - 512 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 3.1 x4 (NVMe) (INSSD512GM280NM1)

Fiche technique

Général : Description du produit

Integral M Series - SSD - 512 Go - PCIe 3.1 x4 (NVMe)

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

22 mm x 80 mm x 2.25 mm

Général : Poids

10 g

Général : Largeur

22 mm

Général : Profondeur

80 mm

Général : Hauteur

2.25 mm

Divers : Normes de conformité

FCC, RoHS

Dimensions et poids (emballé) : Poids emballé

58 g

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

70 °C

Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement

5 - 95 % (sans condensation)

Général : Garantie du fabricant

Garantie de 3 ans

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 3 ans

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

512 Go

Général : Interface

PCIe 3.1 x4 (NVMe)

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - M.2 Card

Général : Format

M.2 2280

Général : Caractéristiques

Antichoc, prise en charge TRIM, Wear Leveling Support, Ultra-efficient Block Management, Non-volatile Flash Memory, NVM Express

Performances : Débit de transfert interne

2000 Mo/s (lecture) / 1600 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
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1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

M.2 2280

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini

-40 °C

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi

85 °C

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)

1500 g

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)

3.08 g @ 700-800 Hz

Général : Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

Performances : Endurance SSD

256 TB

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

188000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

156000 IOPS