KIOXIA PM6-R Series - SSD - Enterprise, Read Intensive - chiffré - 1536 Go - interne - 2.5" - SAS 24Gb... (KPM6VRUG15T3)

Fiche technique

Général : Description du produit

KIOXIA PM6-R Series KPM6VRUG15T3 - SSD - Enterprise, Read Intensive - 1536 Go - SAS 22.5Gb/s
KIOXIA PM6-R Series KPM6VRUG15T3 - SSD - Enterprise, Read Intensive - 1536 Go - SAS 24Gb/s
KIOXIA PM6-R Series KPM6VRUG15T3 - SSD - Enterprise, Read Intensive - 1536 Go - SAS 24Gb/s

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm

Général : Poids

130 g

Général : Largeur

69.85 mm

Général : Profondeur

100.45 mm

Général : Hauteur

15 mm

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

70 °C

Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement

5 - 95% RH (non-condensing)

Général : Garantie du fabricant

Garantie de 5 ans

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 5 ans

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

1536 Go

Général : Interface

SAS 22.5Gb/s
SAS 24Gb/s

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x SAS 22.5Gb/s
1 x SAS 24Gb/s

Général : Format

2.5"

Général : Caractéristiques

Self-Encrypting Drive (SED), protection des données de bout en bout, T10 Data Integrity Field (DIF), chiffrement TCG, Multi-Str

Performances : Débit de transfert interne

4150 Mo/s (lecture) / 3700 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
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2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

2.5"

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)

1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
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1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)

2.17 gRMS @ 5-800 Hz

Général : Type de mémoire flash NAND

3 bits par cellule (TLC)

Général : Cryptage matériel

Oui

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

595000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

160000 IOPS

Général : Classe d'entraînement

Enterprise, Read Intensive

Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)

1

Performances : Classe d'entraînement

Enterprise, Read Intensive

Alimentation : Consommation électrique

5 Watt (actif (typique))