KIOXIA PM6-V Series - SSD - 6400 Go - interne - 2.5" - SAS 24Gb/s (KPM61VUG6T40)

Fiche technique

Général : Description du produit

KIOXIA PM6-V Series KPM61VUG6T40 - SSD - 6400 Go - SAS 22.5Gb/s
KIOXIA PM6-V Series KPM61VUG6T40 - SSD - 6400 Go - SAS 24Gb/s
KIOXIA PM6-V Series KPM61VUG6T40 - SSD - 6400 Go - SAS 24Gb/s

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm

Général : Poids

130 g

Général : Largeur

69.85 mm

Général : Profondeur

100.45 mm

Général : Hauteur

15 mm

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

70 °C

Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement

5 - 95 % (sans condensation)

Général : Garantie du fabricant

Garantie de 5 ans

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 5 ans

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

6400 Go

Général : Interface

SAS 22.5Gb/s
SAS 24Gb/s

Général : Débit de transfert de données

2.25 Go/s

Performances : Débit de transfert du lecteur

2.25 Go/s (externe)

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x SAS 22.5Gb/s
1 x SAS 24Gb/s

Général : Format

2.5"

Général : Caractéristiques

Dual Port, protection des données de bout en bout, T10 Data Integrity Field (DIF), Enterprise, Mixed-Use, Multi-Stream Write, P

Performances : Débit de transfert interne

4150 Mo/s (lecture) / 3700 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
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2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

2.5"

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)

1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
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1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)

2.17 g @ 5-800 Hz

Général : Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

595000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

290000 IOPS

Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)

3

Alimentation : Consommation électrique

5 Watt (typique)