SSDMixed Use6400 GoSSD de centre de donnéesinterne2.5"PCIe 4.0 x4 (NVMe)Poids Brut: 0,10 Kg
Détails du produit
KCD8XVUG6T40
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KCD8XVUG6T40
1 Article
Fiche technique
Général : Description du produit
KIOXIA CD8-V Series KCD8XVUG6T40 - SSD - Mixed Use - 6400 Go - SSD de centre de données - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Général : Poids
130 g
Général : Largeur
69.85 mm
Général : Profondeur
100.45 mm
Général : Hauteur
15 mm
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
75 °C
Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement
5 - 95% RH
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
6400 Go
Général : Interface
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x PCI Express 4.0 (NVMe1.4)
Général : Format
2.5"
Général : Caractéristiques
112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE), protection de perte de puissance des données, protection des données de bout en bout Protection des données de bout en bout, protection de perte de puissance des données, Sanitize Instant Erase (SIE), 112-layer 3
Performances : Débit de transfert interne
7100 Mo/s (lecture) / 6000 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Fiabilité MTBF
2500000 heures
Fiabilité : Opération 24 h/24, 7 j/7
Oui
Expansion et connectivité : Baie compatible
2.5"
Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini
-40 °C
Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi
85 °C
Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms
Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Général : Type de mémoire flash NAND
3D triple-level cell (TLC)
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko maximum
380000 IOPS
Performances : Lecture aléatoire maximale 4 ko
1150000 IOPS
Général : Classe d'entraînement
Mixed Use
Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)
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