KIOXIA CM7-R Series KCM71RJE7T68 - SSD - Enterprise, Read Intensive - 15360 Go - interne - E3.S - PCI ... (KCM71RJE15T3)

Fiche technique

Général : Description du produit

KIOXIA CM7-R Series KCM71RJE7T68 - SSD - Enterprise, Read Intensive - 15360 Go - PCI Express 5.0 (NVMe)

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm

Général : Poids

110 g

Général : Largeur

76 mm

Général : Profondeur

112.75 mm

Général : Hauteur

7.5 mm

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

73 °C

Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement

5 - 95% RH

Général : Garantie du fabricant

Garantie de 5 ans

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 5 ans

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

15360 Go

Général : Interface

PCI Express 5.0 (NVMe)

Expansion et connectivité : Interfaces

2 x PCI Express 5.0 (NVMe)

Général : Format

E3.S

Général : Caractéristiques

Online Transaction Processing (OLTP), Dual Port, protection des données de bout en bout, Protection de perte de puissance (PLP)

Performances : Débit de transfert interne

13000 Mo/s (lecture) / 5300 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
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2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures

Fiabilité : Opération 24 h/24, 7 j/7

Oui

Expansion et connectivité : Baie compatible

E3.S

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini

-40 °C

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi

85 °C

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)

1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
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1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)

2.17 gRMS @ 5-800 Hz

Général : Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

2000000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

260000 IOPS

Général : Classe d'entraînement

Enterprise, Read Intensive

Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)

1

Performances : Classe d'entraînement

Enterprise, Read Intensive