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MEM-DR416L-SL04-ER26
Supermicro
Samsung - DDR4 - module - 16 Go - DIMM 288 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire enregistré - ECC - 0.03-Sku: 5025125
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Description
Samsung - DDR4 - module - 16 Go - DIMM 288 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire enregistré - ECC - 0.03
Détails du produit
MEM-DR416L-SL04-ER26

Fiche technique

Général : Description du produit
Samsung - DDR4 - module - 16 Go - DIMM 288 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - mémoire enregistré
Général : Caractéristiques
Un rang, terminaison intégrée (ODT), seize banques, mémoire enregistré
Général : Type de Produit
Module mémoire
Mémoire : Technologie
DDR4 SDRAM
Mémoire : Format
DIMM 288 broches
Mémoire : Vitesse
2666 MHz (PC4-21300)
Général : Type de mise à niveau
Spécifique au système
Mémoire : Type
DRAM module mémoire
Général : Type de mémoire
DDR4 SDRAM - DIMM 288 broches
Général : Vérification de l'Intégrité des Données
ECC
Général : Vitesse
2666 MHz (PC4-21300)
Mémoire : Fonctions
Un rang, terminaison intégrée (ODT), seize banques, mémoire enregistré
Mémoire : Vérification de l'Intégrité des Données
ECC
Général : Tension
1.2 V
Général : Temps de latence
CL19 (19-19-19)
Mémoire : Tension
1.2 V
Mémoire : Organisation des puces
2048 x 4
Mémoire : Temps de latence
CL19 (19-19-19)
Mémoire : Configuration de module
2048 x 72
Mémoire : Hauteur du module (en pouces)
1.23
Général : Capacité
16 Go
Divers : Normes de conformité
RoHS, Sans plomb, Sans halogène
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie de 5 ans
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans

Références spécifiques

MPN
MEM-DR416L-SL04-ER26
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