Description
HyperX Impact
DDR4module32 GoSO DIMM 260 broches2666 MHz / PC4-21300CL161.2 Vmémoire sans tamponnon ECCPoids Brut: 0,04 KgDétails du produit
HX426S16IB/32
740617304510
HX426S16IB/32
3 Produits
Fiche technique
- Général : Description du produit
- HyperX Impact - DDR4 - module - 32 Go - SO DIMM 260 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - mémoire sans tampon
- Divers : Normes de conformité
- JEDEC
- Général : Garantie du fabricant
- Garantie limitée à vie (Russie - 10 ans)
- Garantie du fabricant : Service et maintenance
- Garantie limitée à vie (Russie - 10 ans)
- Général : Capacité
- 32 Go
- Général : Caractéristiques
- Deux rangs, terminaison intégrée (ODT), seize banques, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), mémoire sans tampon
Deux rangs, terminaison intégrée (ODT), seize banques, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), mémoire sans tampon - Général : Type de Produit
- Module mémoire
- Mémoire : Technologie
- DDR4 SDRAM
- Mémoire : Format
- SO DIMM 260 broches
- Mémoire : Vitesse
- 2666 MHz (PC4-21300)
- Général : Type de mise à niveau
- Générique
- Mémoire : Type
- DRAM module mémoire
- Général : Tension
- 1.2 V
- Général : Type de mémoire
- DDR4 SDRAM - SO DIMM 260 broches
- Général : Vérification de l'Intégrité des Données
- Non ECC
- Général : Vitesse
- 2666 MHz (PC4-21300)
- Général : Temps de latence
- CL16 (16-18-18)
- Mémoire : Temps de latence
- CL16 (16-18-18)
- Mémoire : Vérification de l'Intégrité des Données
- Non ECC
- Mémoire : Fonctions
- Deux rangs, terminaison intégrée (ODT), seize banques, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), mémoire sans tampon
Deux rangs, terminaison intégrée (ODT), seize banques, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), mémoire sans tampon - Mémoire : Tension
- 1.2 V
- Mémoire : Organisation des puces
- 2048 x 8
- Mémoire : Configuration de module
- 4096 x 64
- Divers : Catégorie de couleur
- Noir
- Mémoire : Hauteur du module (en pouces)
- 1.18