4GB LAPTOP RAM MODULE DDR4 2666MHZ PC4-21333 UNBUFFERED NON-ECC SODIMM 1.2V 512x16 CL19 INTEGRAL (IN4V4GNEUSX)_1
    • 4GB LAPTOP RAM MODULE DDR4 2666MHZ PC4-21333 UNBUFFERED NON-ECC SODIMM 1.2V 512x16 CL19 INTEGRAL (IN4V4GNEUSX)_1

    Integral - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 2666 MHz - PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire s... (IN4V4GNEUSX)

    IN4V4GNEUSX
    Integral

    -4GB LAPTOP mémoire MODULE DDR4 2666MHZ PC4-21333 UNBUFFERED NON-ECC SODIMM 1.2V 512x16 CL19 INTEGRAL
    -Poids Brut: 0,02 Kg
    -Sku: 10139442
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    Description

    4GB LAPTOP mémoire MODULE DDR4 2666MHZ PC4-21333 UNBUFFERED NON-ECC SODIMM 1.2V 512x16 CL19 INTEGRALPoids Brut: 0,02 Kg
    Détails du produit
    IN4V4GNEUSX
    IN4V4GNEUSX
    32 Produits

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    Integral - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - mémoire sans tampon
    Général : Garantie du fabricant
    Garantie limitée à vie (Allemagne, Autriche et France - 10 ans)
    Garantie du fabricant : Service et maintenance
    Garantie limitée à vie (Allemagne, Autriche et France - 10 ans)
    Général : Capacité
    4 Go
    Général : Caractéristiques
    Mémoire sans tampon
    Général : Type de Produit
    Module mémoire
    Mémoire : Technologie
    DDR4 SDRAM
    Mémoire : Format
    SO DIMM 260 broches
    Mémoire : Vitesse
    2666 MHz (PC4-21300)
    Général : Type de mise à niveau
    Générique
    Mémoire : Type
    DRAM module mémoire
    Général : Tension
    1.2 V
    Général : Type de mémoire
    DDR4 SDRAM - SO DIMM 260 broches
    Général : Vérification de l'Intégrité des Données
    Non ECC
    Général : Vitesse
    2666 MHz (PC4-21300)
    Général : Temps de latence
    CL19
    Mémoire : Temps de latence
    CL19
    Mémoire : Vérification de l'Intégrité des Données
    Non ECC
    Mémoire : Fonctions
    Mémoire sans tampon
    Mémoire : Tension
    1.2 V
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