Integral - DDR3 - module - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz - PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - mémoir... (IN3V8GNAJKXLV)_1
    • Integral - DDR3 - module - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz - PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - mémoir... (IN3V8GNAJKXLV)_1

    Integral - DDR3 - module - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz - PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - mémoir... (IN3V8GNAJKXLV)

    IN3V8GNAJKXLV
    Integral

    Integral

    -DDR3
    -module
    -8 Go
    -SO DIMM 204 broches
    -1600 MHz / PC3-12800
    -CL11
    -1.35 V
    -mémoire sans tampon
    -non ECC
    -Poids Brut: 0,02 Kg
    -Sku: 3128905
    12,84 €
    TTC
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    Description

    Integral

    DDR3module8 GoSO DIMM 204 broches1600 MHz / PC3-12800CL111.35 Vmémoire sans tamponnon ECCPoids Brut: 0,02 Kg
    Détails du produit
    IN3V8GNAJKXLV
    5055288481121
    505528848112
    IN3V8GNAJKXLV
    3 Produits

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    Integral - DDR3 - module - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3-12800 - mémoire sans tampon
    Général : Garantie du fabricant
    Garantie limitée à vie (Allemagne, Autriche et France - 10 ans)
    Garantie du fabricant : Service et maintenance
    Garantie limitée à vie (Allemagne, Autriche et France - 10 ans)
    Général : Capacité
    8 Go
    Général : Caractéristiques
    Deux rangs, basse tension, mémoire sans tampon
    Général : Type de Produit
    Module mémoire
    Mémoire : Technologie
    DDR3 SDRAM
    Mémoire : Format
    SO DIMM 204 broches
    Mémoire : Vitesse
    1600 MHz (PC3-12800)
    Extension/connectivité : Connecteurs compatibles
    1 x mémoire - SO DIMM 204 broches
    Général : Type de mise à niveau
    Générique
    Mémoire : Type
    DRAM module mémoire
    Général : Tension
    1.35 V
    Général : Type de mémoire
    DDR3 SDRAM - SO DIMM 204 broches
    Général : Vérification de l'Intégrité des Données
    Non ECC
    Général : Vitesse
    1600 MHz (PC3-12800)
    Général : Temps de latence
    CL11
    Mémoire : Temps de latence
    CL11
    Mémoire : Vérification de l'Intégrité des Données
    Non ECC
    Mémoire : Fonctions
    Deux rangs, basse tension, mémoire sans tampon
    Mémoire : Tension
    1.35 V
    Mémoire : Organisation des puces
    512 x 8
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