Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz - PC3L-12800 - CL11 - 1.35 -... (KVR16LS11/8)_1
    • Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz - PC3L-12800 - CL11 - 1.35 -... (KVR16LS11/8)_1
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    Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz - PC3L-12800 - CL11 - 1.35 -... (KVR16LS11/8)

    KVR16LS11/8
    Kingston

    Kingston ValueRAM

    -DDR3L
    -module
    -8 Go
    -SO DIMM 204 broches
    -1600 MHz / PC3L-12800
    -CL11
    -1.35 / 1.5 V
    -mémoire sans tampon
    -non ECC
    -Poids Brut: 0,02 Kg
    -Sku: 2768397
    45,72 €
    TTC
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    154 Produits

     

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    Description

    Kingston ValueRAM

    DDR3Lmodule8 GoSO DIMM 204 broches1600 MHz / PC3L-12800CL111.35 / 1.5 Vmémoire sans tamponnon ECCPoids Brut: 0,02 Kg
    Détails du produit
    KVR16LS11/8
    740617219791
    KVR16LS11/8
    154 Produits

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3L-12800 - mémoire sans tampon
    Général : Garantie du fabricant
    Garantie limitée à vie
    Garantie du fabricant : Service et maintenance
    Garantie limitée à vie
    Général : Capacité
    8 Go
    Général : Caractéristiques
    Deux rangs, terminaison intégrée (ODT), mémoire sans tampon
    Général : Type de Produit
    Module mémoire
    Mémoire : Technologie
    DDR3L SDRAM
    Mémoire : Format
    SO DIMM 204 broches
    Mémoire : Vitesse
    1600 MHz (PC3L-12800)
    Général : Type de mise à niveau
    Générique
    Mémoire : Type
    DRAM module mémoire
    Général : Tension
    1.35 / 1.5 V
    Général : Type de mémoire
    DDR3L SDRAM - SO DIMM 204 broches
    Général : Vérification de l'Intégrité des Données
    Non ECC
    Général : Vitesse
    1600 MHz (PC3L-12800)
    Général : Temps de latence
    CL11 (11-11-11)
    Mémoire : Temps de latence
    CL11 (11-11-11)
    Mémoire : Vérification de l'Intégrité des Données
    Non ECC
    Mémoire : Fonctions
    Deux rangs, terminaison intégrée (ODT), mémoire sans tampon
    Mémoire : Tension
    1.35 / 1.5 V
    Mémoire : Organisation des puces
    512 x 8
    Mémoire : Configuration de module
    1024 x 64
    Général : Placage du connecteur
    Or
    Mémoire : Hauteur du module (en pouces)
    1.18
    Mémoire : Placage du connecteur
    Or
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