Améliore les performances de stockage pour les charges de travail des centres de données. Le SSD Micron 7450 utilise la technologie innovante NAND à 176 couches de Micron. Le Micron 7450 combine le nombre élevé de couches NAND avec la technologie CMOS-under-array de Micron et le PCIe Gen4 pour offrir des performances de pointe, permettant un démarrage plus rapide et une meilleure réactivité des applications.Permet des charges de travail rapides, fiables et réactives dans les centres de données. Le SSD Micron 7450 offre en permanence une latence de 2 ms ou moins pour une qualité de service de 99,9999 %, ce qui améliore les performances des bases de données telles que Microsoft SQL Server, Oracle, MySQL, RocksDB, Cassandra et Aerospike.Prise en charge OCP NVMe SSD 2.0 - pour une résolution rapide des problèmes courants dans les centres de données. La surveillance de la latence du SSD Micron 7450 améliore la surveillance et le diagnostic dans les environnements de production. En outre, les commandes administratives permettent un contrôle standardisé sur des fonctions telles que les espaces de noms et la sécurité, s'intégrant facilement aux systèmes de gestion conformes à l'OCP.
Détails du produit
MTFDKBZ7T6TFR-1BC1ZABYYR
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Fiche technique
Général : Description du produit
Micron 7450 PRO - SSD - Enterprise - 7680 Go - PCIe 4.0 (NVMe) - Conformité TAA
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
5.9 mm
Général : Hauteur
5.9 mm
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
70 °C
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
7680 Go
Général : Interface
PCIe 4.0 (NVMe)
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x PCI Express 4.0 (NVMe)
Général : Format
E1.S
Général : Compatibilité TTA
Oui
Divers : Compatibilité TTA
Oui
Général : Caractéristiques
3D NAND Technology, CMOS sous réseau (CuA), Data Path Protection, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, Read Intensive, Démarrage sécurisé, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots 3D NAND Technology, CMOS sous réseau (CuA), Data Path Protection, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, Read Intensive, Démarrage sécurisé, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots
Général : Octets par secteur
512
Performances : Débit de transfert interne
6800 Mo/s (lecture) / 5600 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Fiabilité MTBF
2, 000, 000 heures
Expansion et connectivité : Baie compatible
E1.S
Général : Type de mémoire flash NAND
3D triple-level cell (TLC)
Performances : Endurance SSD
14000 TB
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
1000000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
215000 IOPS
Général : Classe d'entraînement
Enterprise
Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)
