Transfert de données efficace. Avec des débits de données internes atteignant 7250 MBps, les données peuvent être transférées rapidement, ce qui permet des temps de démarrage et des vitesses de chargement d'applications plus rapides.Durabilité élevée. Avec une résistance aux chocs allant jusqu'à 1 500 g et une tolérance aux vibrations, ce disque est suffisamment robuste pour résister aux contraintes physiques, ce qui garantit un fonctionnement fiable dans divers environnements.Gestion avancée des performances. Prend en charge les fonctions TRIM, Auto Garbage Collection et Device Sleep pour optimiser les performances et prolonger la durée de vie du disque, ce qui le rend adapté aussi bien à une utilisation quotidienne qu'à des applications exigeantes.Fonctions de sécurité renforcées. Équipé du cryptage matériel AES 256 bits et du cryptage TCG Opal 2.0, le disque offre des mesures de sécurité robustes pour protéger les données sensibles contre les accès non autorisés.
Détails du produit
MZ-V9S2T0BW
8806095575650
880609557565
MZ-V9S2T0BW
293 Produits
Fiche technique
Général : Description du produit
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 To - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Général : Poids
9 g
Général : Largeur
22.15 mm
Général : Profondeur
80.15 mm
Général : Hauteur
2.38 mm
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
70 °C
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans/1200 TBW
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
2 To
Général : Interface
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Général : Format
M.2 2280
Général : Caractéristiques
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Performances : Débit de transfert interne
7250 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Fiabilité MTBF
1.500.000 heures
Expansion et connectivité : Baie compatible
M.2 2280
Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)
1500 g @ 0, 5 ms
Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)
