Améliore les performances de stockage pour les charges de travail des centres de données. Le SSD Micron 7450 utilise la technologie innovante NAND à 176 couches de Micron. Le Micron 7450 combine le nombre élevé de couches NAND avec la technologie CMOS-under-array de Micron et le PCIe Gen4 pour offrir des performances de pointe, permettant un démarrage plus rapide et une meilleure réactivité des applications.Permet des charges de travail rapides, fiables et réactives dans les centres de données. Le SSD Micron 7450 offre en permanence une latence de 2 ms ou moins pour une qualité de service de 99,9999 %, ce qui améliore les performances des bases de données telles que Microsoft SQL Server, Oracle, MySQL, RocksDB, Cassandra et Aerospike.Prise en charge OCP NVMe SSD 2.0 - pour une résolution rapide des problèmes courants dans les centres de données. La surveillance de la latence du SSD Micron 7450 améliore la surveillance et le diagnostic dans les environnements de production. En outre, les commandes administratives permettent un contrôle standardisé sur des fonctions telles que les espaces de noms et la sécurité, s'intégrant facilement aux systèmes de gestion conformes à l'OCP.
Détails du produit
MTFDKCC800TFS-1BC15ABYYR
Fiche technique
Général : Description du produit
Micron 7450 MAX - SSD - Enterprise - 800 Go - U.3 PCIe 4.0 (NVMe) - Conformité TAA
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
15 mm
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Général : Hauteur
15 mm
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
70 °C
Général : Interface
U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Général : Format
2.5"
Général : Compatibilité TTA
Oui
Divers : Compatibilité TTA
Oui
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
800 Go
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Général : Caractéristiques
3D NAND Technology, CMOS sous réseau (CuA), Data Path Protection, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, Mixed-Use, Démarrage sécurisé, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots of T 3D NAND Technology, CMOS sous réseau (CuA), Data Path Protection, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, Mixed-Use, Démarrage sécurisé, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots of T
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