Gestion thermique robuste. La gestion thermique contrôlée par l'hôte (HCTM) permet de maintenir des températures de fonctionnement optimales pour améliorer les performances et la durabilité.Intégrité des données renforcée. La protection des données au repos garantit la sécurité des informations sensibles, même en cas de coupure de courant.Nivellement d'usure avancé. Les techniques de nivellement statique et dynamique de l'usure sont utilisées pour prolonger la durée de vie du disque en répartissant uniformément les cycles d'écriture et d'effacement.Correction d'erreur complète. Avec un taux d'erreur non récupérable de 1 pour 10^15, ce disque est conçu pour minimiser les pertes de données et garantir une grande fiabilité.Capacité de stockage élevée. La technologie de mémoire flash NAND 3D à triple niveau de cellules (TLC) offre un équilibre entre les performances et la densité de stockage.
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
70 °C
Dimensions et poids (emballé) : Poids emballé
22 g
Général : Format
M.2 2280
M.2 2280
Général : Interface
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
512 Go
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Général : Caractéristiques
TCG Pyrite 2.02, NVM Express (NVMe) 2.0c, fonctionnalité d'amélioration des performances en écriture Dynamic Write Acceleration, Host Controlled Thermal Management (HCTM), protection de perte de puissance des données, Data at Rest Protection, prise
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