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SSD - Centre de données, Lecture intensive - 3840 Go - interne - E3.S - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) (KCD8XPJE3T84)_1
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SSD - Centre de données, Lecture intensive - 3840 Go - interne - E3.S - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) (KCD8XPJE3T84)

KCD8XPJE3T84
Kioxia ssd
KIOXIA CD8P-R Series KCD8XPJE3T84 - SSD - Centre de données, Lecture intensive - 3840 Go - interne - E3.S - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - null-Sku: 9887191
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Description
Durabilité accrue. Conçu pour un fonctionnement continu et équipé de la technologie flash BiCS5, le lecteur à état solide de la série KIOXIA CD8P-R offre une endurance et une fiabilité exceptionnelles pour les centres de données et les applications à lecture intensive.Performances à grande vitesse. Avec un débit de données interne pouvant atteindre 12 000 Mo/s en lecture et 5 500 Mo/s en écriture, couplé à l'interface PCI Express 5.0 x4 (NVMe), ce disque offre des vitesses d'accès et de transfert des données rapides et efficaces.Protection avancée des données. Des fonctionnalités telles que la protection des données de bout en bout, la protection contre les pertes de puissance (PLP) et le Sanitize Instant Erase (SIE) garantissent que vos données restent en sécurité, minimisant ainsi le risque de perte de données dans les environnements critiques.Gestion efficace de l'énergie. La consommation électrique du disque est optimisée pour l'efficacité, avec une valeur de 19 W en mode actif et de 5 W en mode inactif, ce qui permet de réduire les coûts d'exploitation dans les centres de données.Tolérance environnementale robuste. Conçu pour résister aux conditions difficiles, ce disque SSD fonctionne dans une large plage de températures et résiste aux chocs et aux vibrations, ce qui garantit des performances constantes dans divers environnements opérationnels.
Détails du produit
KCD8XPJE3T84

Fiche technique

Général : Description du produit
KIOXIA CD8P-R Series KCD8XPJE3T84 - SSD - Centre de données, Lecture intensive - 3840 Go - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Général : Poids
110 g
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Général : Profondeur
112.75 mm
Général : Hauteur
7.5 mm
Général : Largeur
76 mm
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
76 °C
Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement
5 - 95% RH
Général : Format
E3.S
Général : Interface
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
3840 Go
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Général : Caractéristiques
Fonctionnement continu 24/7, Open Compute Project 2.0, simple port, Protection de perte de puissance (PLP), protection des données de bout en bout, Sanitize Instant Erase (SIE), Flash BiCS5, NVMe 2.0
Alimentation : Consommation électrique
19 Watt (actif) ¦ 5 Watt (inactif)
Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi
85 °C
Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini
-40 °C
Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
1000 g @ 0, 5 ms
Performances : Débit de transfert interne
12000 Mo/s (lecture) / 5500 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Opération 24 h/24, 7 j/7
Oui
Fiabilité : Fiabilité MTBF
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
2, 500, 000 heures
Expansion et connectivité : Baie compatible
E3.S
Général : Classe d'entraînement
Centre de données, Lecture intensive
Performances : Classe d'entraînement
Centre de données, Lecture intensive
Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)
1
Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Général : Type de mémoire flash NAND
3 bits par cellule (TLC)
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
1900000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
200000 IOPS

Références spécifiques

MPN
KCD8XPJE3T84
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