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SSD - 512 Go - interne - M.2 2230 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) (INSSD512GM2230G3)

INSSD512GM2230G3
Integral
Integral - SSD - 512 Go - interne - M.2 2230 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - 0.02-Sku: 10401919
202,08 €
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Description
Integral - SSD - 512 Go - interne - M.2 2230 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - 0.02
Détails du produit
INSSD512GM2230G3

Fiche technique

Général : Description du produit
Integral - SSD - 512 Go - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Integral - SSD - 512 Go - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
22 mm x 30 mm x 0.8 mm
Général : Poids
2 g
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Général : Profondeur
30 mm
Général : Hauteur
0.8 mm
Général : Largeur
22 mm
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans/365 TBW
Divers : Normes de conformité
JESD47, RoHS, FCC, UKCA
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
70 °C
Dimensions et poids (emballé) : Poids emballé
8 g
Général : Format
M.2 2230
Général : Interface
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
512 Go
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Général : Caractéristiques
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), correction d'erreur LDPC, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, NVM Express (N
Alimentation : Consommation électrique
2.66 Watt (lecture) ¦ 2.97 Watt (écriture)
Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi
85 °C
Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini
-40 °C
Performances : Débit de transfert interne
3400 Mo/s (lecture) / 2400 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Fiabilité MTBF
1, 000, 000 heures
1, 000, 000 heures
1, 000, 000 heures
1, 000, 000 heures
1, 000, 000 heures
1, 000, 000 heures
1, 000, 000 heures
Expansion et connectivité : Baie compatible
M.2 2230
Dimensions et poids (emballé) : Hauteur emballée
9 cm
Dimensions et poids (emballé) : Largeur emballée
5.5 cm
Dimensions et poids (emballé) : Profondeur emballée
1.2 cm
Général : Type de mémoire flash NAND
3 bits par cellule (TLC)
Performances : Endurance SSD
365 TB

Références spécifiques

UPC
505528844999
EAN-13
5055288449992
MPN
INSSD512GM2230G3
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Référence: S352BU33HR

Marque: Startech

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