Samsung 870 QVO - SSD - chiffré - 2 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 2 Go - AES 25... (MZ-77Q2T0BW)

Fiche technique

Général : Description du produit

Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW - SSD - 2 To - SATA 6Gb/s

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm

Général : Poids

46 g

Général : Largeur

69.85 mm

Général : Profondeur

100 mm

Général : Hauteur

6.8 mm

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

70 °C

Général : Garantie du fabricant

Garantie de 3 ans

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 3 ans

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

2 To

Général : Interface

SATA 6Gb/s

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches

Général : Format

2.5"

Général : Taille de la mémoire tampon

2 Go

Général : Caractéristiques

Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDR
Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667

Performances : Débit de transfert interne

560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

2.5"

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)

0.5 ms half-sine

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)

1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms

Général : Algorithme de chiffrement

AES 256 bits

Général : Type de mémoire flash NAND

Cellule à quatre niveaux (QLC)

Général : Cryptage matériel

Oui

Performances : Endurance SSD

720 TB

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

11000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

35000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko maximum

88000 IOPS

Performances : Lecture aléatoire maximale 4 ko

98000 IOPS

Alimentation : Consommation électrique

3.3 Watt (moyenne) ¦ 5.5 Watt (maximum) ¦ 0.045 Watt (inactif)