SSDEnterprise, Read Intensive15360 Gointerne2.5"U.3 PCIe 4.0 (NVMe)Poids Brut: 0,12 Kg
Détails du produit
KCM61RUL15T3
8592978359928
859297835992
KCM61RUL15T3
19 Produits
Fiche technique
Général : Description du produit
KIOXIA CM6-R Series KCM61RUL15T3 - SSD - Enterprise, Read Intensive - 15360 Go - U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Général : Poids
130 g
Général : Largeur
69.85 mm
Général : Profondeur
100.45 mm
Général : Hauteur
15 mm
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
70 °C
Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement
5 - 95%
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
15360 Go
Général : Interface
U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Expansion et connectivité : Interfaces
2 x U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Général : Format
2.5"
Général : Caractéristiques
Online Transaction Processing (OLTP), Dual Port, protection des données de bout en bout, Enterprise, Protection de perte de pui Online Transaction Processing (OLTP), Dual Port, protection des données de bout en bout, Enterprise, Protection de perte de puissance (PLP), 96-layer 3D BiCS FLASH, NVM Express (NVMe) 1.4 Online Transaction Processing (OLTP), Dual Port, protection des données de bout en bout, Enterprise, Protection de perte de puissance (PLP), 96-layer 3D BiCS FLASH, NVM Express (NVMe) 1.4
Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms
Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
2.17 g @ 5-800 Hz
Général : Type de mémoire flash NAND
3D triple-level cell (TLC)
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
1400000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
170000 IOPS
Général : Classe d'entraînement
Enterprise, Read Intensive
Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)