Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms
Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Général : Type de mémoire flash NAND
3D triple-level cell (TLC)
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
1480000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
360000 IOPS
Général : Classe d'entraînement
Enterprise
Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)