Lenovo - Lecteur à état solide - 256 Go - interne - M.2 Card - pour ThinkStation P500, P700, P900 (TOUJO... (4XB0G69278)_1
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    Lenovo - Lecteur à état solide - 256 Go - interne - M.2 Card - pour ThinkStation P500, P700, P900 (TOUJO... (4XB0G69278)

    4XB0G69278
    Lenovo

    Lenovo

    -Lecteur à état solide
    -256 Go
    -interne
    -M.2 Card
    -pour ThinkStation P500, P700, P900 (TOUJOURS AJOUTER LADAPTATEUR ThinkStation M.2 SSD Flex : 4XH0G78729)
    -Poids Brut: 0,08 Kg
    -Sku: 3259778
    409,14 €
    TTC
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    Description

    Lenovo

    Lecteur à état solide256 GointerneM.2 Cardpour ThinkStation P500, P700, P900 (TOUJOURS AJOUTER LADAPTATEUR ThinkStation M.2 SSD Flex : 4XH0G78729)Poids Brut: 0,08 Kg
    Détails du produit
    4XB0G69278
    888965336927
    4XB0G69278
    9876 Produits

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    Lenovo - SSD - 256 Go - M.2 Card
    Général : Type de périphérique
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Dimensions (LxPxH)
    22 mm x 80 mm x 3.73 mm
    Général : Poids
    8 g
    Général : Largeur
    22 mm
    Général : Profondeur
    80 mm
    Général : Hauteur
    3.73 mm
    Divers : Normes de conformité
    UL, TUV, C-Tick, BSMI, cUL, RoHS, KC
    Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
    0 °C
    Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
    70 °C
    Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement
    5 - 95 % (sans condensation)
    Général : Garantie du fabricant
    1 an de garantie
    Garantie du fabricant : Service et maintenance
    Garantie limitée - 1 an
    Général : Type
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Capacité
    256 Go
    Général : Interface
    M.2 Card
    Expansion et connectivité : Interfaces
    1 x M.2 Card
    Général : Conçu pour
    ThinkStation P410 P500 P700 P900
    Général : Caractéristiques
    Protection des données de bout en bout
    Performances : Débit de transfert interne
    1179 Mo/s (lecture) / 930 Mo/s (écriture)
    Fiabilité : Fiabilité MTBF
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
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    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)
    1500 g @ impulsion semi-sinusoïdale 0, 5 ms
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    1500 g @ impulsion semi-sinusoïdale 0, 5 ms
    Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)
    3.08 g @ 7-800 Hz
    Général : Type de mémoire flash NAND
    Cellule multiniveaux (MLC)
    Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
    122000 IOPS
    Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
    72000 IOPS
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