SSDEnterprise, Read Intensive15360 Gointerne2.5"PCI Express 5.0 (NVMe)Poids Brut: 0,12 Kg
Détails du produit
KCMYXRUG15T3
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KCMYXRUG15T3
2 Produits
Fiche technique
Général : Description du produit
KIOXIA CM7-R Series KCMYXRUG15T3 - SSD - Enterprise, Read Intensive - 15360 Go - PCI Express 5.0 (NVMe)
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Général : Poids
130 g
Général : Largeur
69.85 mm
Général : Profondeur
100.45 mm
Général : Hauteur
15 mm
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
73 °C
Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement
5 - 95% RH
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
15360 Go
Général : Interface
PCI Express 5.0 (NVMe)
Expansion et connectivité : Interfaces
2 x PCI Express 5.0 (NVMe)
Général : Format
2.5"
Général : Caractéristiques
112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE), Dual Port, Protection de perte de puissance (PLP), protection des données de bout en bout, NVMe 2.0 112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE), Dual Port, Protection de perte de puissance (PLP), protection des données de bout en bout, NVMe 2.0 Dual Port, protection des données de bout en bout, Protection de perte de puissance (PLP), Sanitize Instant Erase (SIE), 112-la
Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini
-40 °C
Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi
85 °C
Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms 1000 g @ 0, 5 ms
Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Général : Type de mémoire flash NAND
3D triple-level cell (TLC)
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
2400000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
300000 IOPS
Général : Classe d'entraînement
Enterprise, Read Intensive
Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)