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KIOXIA PM6-V Series - SSD - 1600 Go - interne - 2.5" - SAS 22.5Gb - s (KPM61VUG1T60)_1
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KIOXIA PM6-V Series - SSD - 1600 Go - interne - 2.5" - SAS 22.5Gb/s (KPM61VUG1T60)

KPM61VUG1T60
Kioxia ssd

KIOXIA PM6-V Series KPM61VUG1T60

-SSD
-1600 Go
-interne
-2.5"
-SAS 22.5Gb/s
-Poids Brut: 0,10 Kg
-Sku: 6336978
622,80 €
TTC
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Description

KIOXIA PM6-V Series KPM61VUG1T60

SSD1600 Gointerne2.5"SAS 22.5Gb/sPoids Brut: 0,10 Kg
Détails du produit
KPM61VUG1T60
8592978347666
859297834766
KPM61VUG1T60

Fiche technique

Général : Description du produit
KIOXIA PM6-V Series KPM61VUG1T60 - SSD - 1600 Go - SAS 22.5Gb/s
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Général : Poids
130 g
Général : Largeur
69.85 mm
Général : Profondeur
100.45 mm
Général : Hauteur
15 mm
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
70 °C
Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement
5 - 95 % (sans condensation)
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
1600 Go
Général : Interface
SAS 22.5Gb/s
Général : Débit de transfert de données
2.25 Go/s
Performances : Débit de transfert du lecteur
2.25 Go/s (externe)
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x SAS 22.5Gb/s
Général : Format
2.5"
Général : Caractéristiques
Dual Port, protection des données de bout en bout, T10 Data Integrity Field (DIF), Enterprise, Mixed-Use, Multi-Stream Write, P
Performances : Débit de transfert interne
4150 Mo/s (lecture) / 2700 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Fiabilité MTBF
2, 500, 000 heures
Expansion et connectivité : Baie compatible
2.5"
Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1000 g @ 0, 5 ms
Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
2.17 g @ 5-800 Hz
Général : Type de mémoire flash NAND
3D triple-level cell (TLC)
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
595000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
265000 IOPS
Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)
3
Alimentation : Consommation électrique
5 Watt (typique)
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