Description
Transcend MTS425S
SSD250 GointerneM.2 2242SATA 6Gb/sPoids Brut: 0,02 KgDétails du produit
TS250GMTS425S
0760557859352
076055785935
TS250GMTS425S
Fiche technique
- Général : Description du produit
- Transcend MTS425S - SSD - 250 Go - SATA 6Gb/s
- Général : Type de périphérique
- Lecteur à semi-conducteurs - interne
- Général : Dimensions (LxPxH)
- 42 mm x 22 mm x 3.58 mm
- Général : Poids
- 5 g
- Général : Largeur
- 42 mm
- Général : Profondeur
- 22 mm
- Général : Hauteur
- 3.58 mm
- Divers : Normes de conformité
- BSMI, FCC, KC, RCM, UKCA
FCC, BSMI, KC, UKCA, RCM - Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
- 0 °C
- Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
- 70 °C
- Général : Garantie du fabricant
- Garantie de 3 ans
- Garantie du fabricant : Service et maintenance
- Garantie limitée - 3 ans
- Général : Type
- Lecteur à semi-conducteurs - interne
- Général : Capacité
- 250 Go
- Général : Interface
- SATA 6Gb/s
- Général : Débit de transfert de données
- 600 Mo/s
- Performances : Débit de transfert du lecteur
- 600 Mo/s (externe)
- Expansion et connectivité : Interfaces
- 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
- Général : Format
- M.2 2242
- Général : Caractéristiques
- Cache SLC, Low-Density Parity Check, mode DevSleep, DDR3 DRAM Cache, Native Command Queuing (NCQ), prise en charge TRIM, RAID Engine, Advanced LDPC ECC Technology, S.M.A.R.T.
Cache SLC, Low-Density Parity Check, mode DevSleep, DDR3 DRAM Cache, Native Command Queuing (NCQ), prise en charge TRIM, RAID Engine, Advanced LDPC ECC Technology, S.M.A.R.T.
Native Command Queuing (NCQ), prise en charge TRIM, DDR3 DRAM Cache, mode DevSleep, Low-Density Parity Check, cache SLC, Advanc - Performances : Débit de transfert interne
- 500 Mo/s (lecture) / 330 Mo/s (écriture)
- Expansion et connectivité : Baie compatible
- M.2 2242
- Logiciels & Configuration requise : Système d'exploitation requis
- Linux Kernel 2.6.31 ou version ultérieure, Microsoft Windows 7 ou ultérieur
- Général : Type de mémoire flash NAND
- 3D triple-level cell (TLC)
- Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
- 40000 IOPS
- Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
- 75000 IOPS
