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SSD - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 (NVMe) (MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYYR)_1
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SSD - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 (NVMe) (MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYYR)

MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYYR
Micron
Micron 2400 - SSD - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 (NVMe) - null-Sku: 8671395
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Description
Démarrage plus rapide du système et amélioration des performances. Le SSD Micron 2400, avec sa technologie innovante QLC NAND à 176 couches combinée à PCIe Gen4, offre des performances jusqu'à deux fois supérieures à celles de la génération précédente, ce qui accélère le démarrage du système et améliore les performances des applications client.Efficacité énergétique. Le Micron 2400 est conçu pour prendre en charge la spécification Project Athena, qui permet une autonomie de plus de neuf heures, même en cas d'utilisation avec des écrans HD. Le SSD 2400 contribue à réduire la demande en batterie grâce à une consommation d'énergie en veille active inférieure de 50 % à celle de la génération précédente, pour des heures de productivité et de divertissement en toute liberté.
Détails du produit
MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYYR

Fiche technique

Général : Description du produit
Micron 2400 - SSD - 2 To - PCIe 4.0 (NVMe)
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
22 mm x 80 mm
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 3 ans
Général : Profondeur
80 mm
Général : Largeur
22 mm
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 3 ans
Divers : Normes de conformité
Taiwan BSMI RoHS, China RoHS, RoHS 2011/65/EU, REACH SvHC
Général : Format
M.2 2280
Général : Interface
PCIe 4.0 (NVMe)
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
2 To
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x PCI Express 4.0 (NVMe)
Général : Caractéristiques
NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, fonctionnalité d'amélioration des performances en écriture Dynamic Write Acceleration, Host Memory Buffer (HMB), Démarrage sécurisé
NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, fonctionnalité d'amélioration des performances en écriture Dynamic Write Acceleration, Host Memory Buffer (HMB), Démarrage sécurisé
Alimentation : Consommation électrique
150 mW (actif au repos) ¦ 2.5 mW (veille)
Performances : Débit de transfert interne
4500 Mo/s (lecture) / 4000 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Fiabilité MTBF
2, 000, 000 heures
2, 000, 000 heures
2, 000, 000 heures
2, 000, 000 heures
Expansion et connectivité : Baie compatible
M.2 2280
Général : Type de mémoire flash NAND
Cellule à quatre niveaux (QLC)
Performances : Endurance SSD
600 TB
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
650000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
700000 IOPS

Références spécifiques

MPN
MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYYR
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