Dataram EC500 - SSD - 240 Go - interne - 2.5" - SATA 6Gb - s - AES 256 bits (EC500S5AT/240G)

Fiche technique

Général : Description du produit

Dataram EC500 - SSD - 240 Go - SATA 6Gb/s

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

69.85 mm x 100 mm x 6.9 mm

Général : Poids

63 g

Général : Largeur

69.85 mm

Général : Profondeur

100 mm

Général : Hauteur

6.9 mm

Divers : Normes de conformité

UL, FCC, RoHS

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

70 °C

Général : Garantie du fabricant

Garantie de 5 ans

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 5 ans

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

240 Go

Général : Interface

SATA 6Gb/s

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x SATA 6 Gb/s

Général : Format

2.5"

Général : Caractéristiques

Gestion des blocs défectueux de flash, prise en charge TRIM, thermal sensor, cache DRAM, protection des données de bout en bout

Performances : Débit de transfert interne

560 Mo/s (lecture) / 495 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures
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3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

2.5"

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini

-40 °C

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi

100 °C

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)

50 g @ impulsion semi-sinusoïdale 11 ms

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)

1500 g @ 0.5 ms half-sine

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)

7.69 g @ 20-2000 Hz

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)

4.02 g @ 15-2000 Hz

Général : Algorithme de chiffrement

AES 256 bits

Général : Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

96000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

79000 IOPS

Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)

1.42