KIOXIA XG8 Series - SSD - 512 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) (KXG80ZNV512G)

Fiche technique

Général : Description du produit

KIOXIA XG8 Series KXG80ZNV512G - SSD - 512 Go - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

22 mm x 80 mm x 2.23 mm

Général : Poids

6.6 g

Général : Largeur

22 mm

Général : Profondeur

80 mm

Général : Hauteur

2.23 mm

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

95 °C

Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement

0 - 90% RH

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

512 Go

Général : Interface

PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card

Général : Format

M.2 2280

Général : Caractéristiques

Self-Encrypting Drive (SED), NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH

Performances : Débit de transfert interne

7000 Mo/s (lecture) / 5000 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

M.2 2280

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini

-40 °C

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi

85 °C

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)

1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)

1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)

20 g @ 20-2000 Hz

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)

20 g @ 20-2000 Hz

Général : Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

Alimentation : Consommation électrique

7.7 Watt (actif) ¦ 3 mW (mode L1.2)