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SSD - Enterprise, Read Intensive - 480 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) -... (MTFDKBA480TFR-1BC1ZABYYT)_1
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SSD - Enterprise, Read Intensive - 480 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) -... (MTFDKBA480TFR-1BC1ZABYYT)

MTFDKBA480TFR-1BC1ZABYYT
Micron
Micron 7450 Pro - SSD - Enterprise, Read Intensive - 480 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - Conformité TAA - 0.02-Sku: 8622660
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Description
Améliore les performances de stockage pour les charges de travail des centres de données. Le SSD Micron 7450 utilise la technologie innovante NAND à 176 couches de Micron. Le Micron 7450 combine le nombre élevé de couches NAND avec la technologie CMOS-under-array de Micron et le PCIe Gen4 pour offrir des performances de pointe, permettant un démarrage plus rapide et une meilleure réactivité des applications.Permet des charges de travail rapides, fiables et réactives dans les centres de données. Le SSD Micron 7450 offre en permanence une latence de 2 ms ou moins pour une qualité de service de 99,9999 %, ce qui améliore les performances des bases de données telles que Microsoft SQL Server, Oracle, MySQL, RocksDB, Cassandra et Aerospike.Prise en charge OCP NVMe SSD 2.0 - pour une résolution rapide des problèmes courants dans les centres de données. La surveillance de la latence du SSD Micron 7450 améliore la surveillance et le diagnostic dans les environnements de production. En outre, les commandes administratives permettent un contrôle standardisé sur des fonctions telles que les espaces de noms et la sécurité, s'intégrant facilement aux systèmes de gestion conformes à l'OCP.
Détails du produit
MTFDKBA480TFR-1BC1ZABYYT

Fiche technique

Général : Description du produit
Micron 7450 PRO - SSD - Enterprise, Read Intensive - 480 Go - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - Conformité TAA
Général : Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH)
22 mm x 80 mm
Général : Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Général : Profondeur
80 mm
Général : Largeur
22 mm
Garantie du fabricant : Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
0 °C
Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
70 °C
Général : Format
M.2 2280
Général : Interface
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Général : Compatibilité TTA
Oui
Divers : Compatibilité TTA
Oui
Général : Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité
480 Go
Expansion et connectivité : Interfaces
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Général : Caractéristiques
NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, CMOS sous réseau (CuA), Démarrage sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Environnement d'exécution sécurisé, Protection de perte de puissance (PLP), Data Path Protection, non-SED, Supp
NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, CMOS sous réseau (CuA), Démarrage sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Environnement d'exécution sécurisé, Protection de perte de puissance (PLP), Data Path Protection, non-SED, Supp
NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, CMOS sous réseau (CuA), Démarrage sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Environnement d'exécution sécurisé, Protection de perte de puissance (PLP), Data Path Protection, non-SED, Supp
NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, CMOS sous réseau (CuA), Démarrage sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Environnement d'exécution sécurisé, Protection de perte de puissance (PLP), Data Path Protection, non-SED, Supp
NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, CMOS sous réseau (CuA), Démarrage sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Environnement d'exécution sécurisé, Protection de perte de puissance (PLP), Data Path Protection, non-SED, Supp
NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, CMOS sous réseau (CuA), Démarrage sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Environnement d'exécution sécurisé, Protection de perte de puissance (PLP), Data Path Protection, non-SED, Supp
Alimentation : Consommation électrique
8 Watt (lecture séquentielle) ¦ 7.9 Watt (écriture séquentielle)
Performances : Débit de transfert interne
5000 Mo/s (lecture) / 700 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Fiabilité MTBF
2, 000, 000 heures
2, 000, 000 heures
2, 000, 000 heures
Expansion et connectivité : Baie compatible
M.2 2280
Général : Classe d'entraînement
Enterprise, Read Intensive
Performances : Classe d'entraînement
Enterprise, Read Intensive
Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)
1
Général : Type de mémoire flash NAND
3D triple-level cell (TLC)
Performances : Endurance SSD
800 TB
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
280000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
40000 IOPS
Général : Octets par secteur
512

Références spécifiques

MPN
MTFDKBA480TFR-1BC1ZABYYT
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