Intel Solid-State Drive DC P4510 Series - SSD - chiffré - 8 To - interne - 2.5" - PCIe 3.1 x4 (NVMe... (SSDPE2KX080T801)_1
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    • Intel Solid-State Drive DC P4510 Series - SSD - chiffré - 8 To - interne - 2.5" - PCIe 3.1 x4 (NVMe... (SSDPE2KX080T801)_2

    Intel Solid-State Drive DC P4510 Series - SSD - chiffré - 8 To - interne - 2.5" - PCIe 3.1 x4 (NVMe... (SSDPE2KX080T801)

    SSDPE2KX080T801
    Solidigm

    Intel Solid-State Drive DC P4510 Series

    -SSD
    -chiffré
    -8 To
    -interne
    -2.5"
    -PCIe 3.1 x4 (NVMe)
    -AES 256 bits
    -Poids Brut: 0,18 Kg
    -Sku: 4684867
    1 512,96 €
    TTC
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    Description

    Intel Solid-State Drive DC P4510 Series

    SSDchiffré8 Tointerne2.5"PCIe 3.1 x4 (NVMe)AES 256 bitsPoids Brut: 0,18 Kg
    Détails du produit
    SSDPE2KX080T801
    735858343886
    SSDPE2KX080T801
    1 Article

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    Intel Solid-State Drive DC P4510 Series - SSD - 8 To - PCIe 3.1 x4 (NVMe)
    Général : Type de périphérique
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Poids
    139 g
    Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
    0 °C
    Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
    70 °C
    Général : Garantie du fabricant
    Garantie de 5 ans
    Garantie du fabricant : Service et maintenance
    Garantie limitée - 5 ans
    Général : Type
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Capacité
    8 To
    Général : Interface
    PCIe 3.1 x4 (NVMe)
    Expansion et connectivité : Interfaces
    1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe)
    Général : Format
    2.5"
    Général : Caractéristiques
    Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, protection des données de bout en bout, 3D NAND Techno
    Performances : Débit de transfert interne
    3200 Mo/s (lecture) / 3000 Mo/s (écriture)
    Fiabilité : Fiabilité MTBF
    2, 000, 000 heures
    Expansion et connectivité : Baie compatible
    2.5"
    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
    1000 g @ 0, 5 ms
    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)
    1000 g @ 0, 5 ms
    Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
    2.17 g @ 5-700 Hz
    Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)
    3.13 g @ 5-800 Hz
    Général : Algorithme de chiffrement
    AES 256 bits
    Général : Type de mémoire flash NAND
    3D triple-level cell (TLC)
    Performances : Endurance SSD
    13.88 PB
    Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
    620000 IOPS
    Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
    139500 IOPS
    Performances : Temps de latence moyen
    110 µs
    Fiabilité : Erreurs irrécupérables
    1 sur 10^17
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