Micron 2400 - SSD - chiffré - 512 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 (NVMe) - AES 256 bits... (MTFDKBA512QFM-1BD15ABYYR)

Name: Micron 2400 - SSD - chiffré - 512 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 (NVMe) - AES 256 bits... (MTFDKBA512QFM-1BD15ABYYR)
Brand: Micron
SKU: MTFDKBA512QFM-1BD15ABYYR
Price: 67.8 EUR
Availability: InStock

Référence MTFDKBA512QFM-1BD15ABYYR

Marque Micron

Micron 2400

-SSD
-chiffré
-512 Go
-interne
-M.2 2280
-PCIe 4.0 (NVMe)
-AES 256 bits
-Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.01
-Poids Brut: 0,02 Kg
-Sku: 8671391

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Description
Détails du produit

Description

Les atouts

Démarrage plus rapide du système et amélioration des performances
Le SSD Micron 2400, avec sa technologie innovante QLC NAND à 176 couches combinée à PCIe Gen4, offre des performances jusqu'à deux fois supérieures à celles de la génération précédente, ce qui accélère le démarrage du système et améliore les performances des applications client.
Efficacité énergétique
Le Micron 2400 est conçu pour prendre en charge la spécification Project Athena, qui permet une autonomie de plus de neuf heures, même en cas d'utilisation avec des écrans HD. Le SSD 2400 contribue à réduire la demande en batterie grâce à une consommation d'énergie en veille active inférieure de 50 % à celle de la génération précédente, pour des heures de productivité et de divertissement en toute liberté.

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Référence MTFDKBA512QFM-1BD15ABYYR

MPN MTFDKBA512QFM-1BD15ABYYR

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Fiche technique

Général : Description du produit: Micron 2400 - SSD - 512 Go - PCIe 4.0 (NVMe)
Général : Type de périphérique: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Dimensions (LxPxH): 22 mm x 80 mm
Général : Largeur: 22 mm
Général : Profondeur: 80 mm
Divers : Normes de conformité: China RoHS, RoHS 2011/65/EU, REACH SvHC, Taiwan BSMI RoHS
Général : Type: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Général : Capacité: 512 Go
Général : Interface: PCIe 4.0 (NVMe)
Expansion et connectivité : Interfaces: 1 x PCI Express 4.0 (NVMe)
Général : Format: M.2 2280
Général : Caractéristiques: Technologie RAIN, fonctionnalité d'amélioration des performances en écriture Dynamic Write Acceleration, Host Memory Buffer (HM
Performances : Débit de transfert interne: 4200 Mo/s (lecture) / 1800 Mo/s (écriture)
Fiabilité : Fiabilité MTBF: 2, 000, 000 heures
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Expansion et connectivité : Baie compatible: M.2 2280
Général : Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Général : Type de mémoire flash NAND: Cellule à quatre niveaux (QLC)
Général : Cryptage matériel: Oui
Performances : Endurance SSD: 150 TB
Performances : Lecture aléatoire 4 Ko: 400000 IOPS
Performances : Écriture aléatoire 4 Ko: 400000 IOPS