KIOXIA BG5 Series - SSD - 1024 Go - client - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) (KBG50ZNV1T02)_1
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    KIOXIA BG5 Series - SSD - 1024 Go - client - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) (KBG50ZNV1T02)

    KBG50ZNV1T02
    Kioxia ssd

    KIOXIA BG5 Series KBG50ZNV1T02

    -SSD
    -1024 Go
    -client
    -interne
    -M.2 2280
    -PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    -Poids Brut: 0,02 Kg
    -Sku: 7732631
    159,30 €
    TTC
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    Description

    KIOXIA BG5 Series KBG50ZNV1T02

    SSD1024 GoclientinterneM.2 2280PCIe 4.0 x4 (NVMe)Poids Brut: 0,02 Kg
    Détails du produit
    KBG50ZNV1T02
    8592978401214
    859297840121
    KBG50ZNV1T02
    13 Produits

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    KIOXIA BG5 Series KBG50ZNV1T02 - SSD - 1024 Go - client - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Général : Type de périphérique
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Dimensions (LxPxH)
    22 mm x 80 mm x 2.23 mm
    Général : Poids
    6 g
    Général : Largeur
    22 mm
    Général : Profondeur
    80 mm
    Général : Hauteur
    2.23 mm
    Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
    0 °C
    Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
    85 °C
    Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement
    0 - 90% RH
    Général : Garantie du fabricant
    Garantie de 3 ans
    Garantie du fabricant : Service et maintenance
    Garantie limitée - 3 ans
    Général : Type
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Capacité
    1024 Go
    Général : Interface
    PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Expansion et connectivité : Interfaces
    1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - clé M.2 M
    Général : Format
    M.2 2280
    Général : Caractéristiques
    Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH
    Performances : Débit de transfert interne
    3500 Mo/s (lecture) / 2900 Mo/s (écriture)
    Fiabilité : Fiabilité MTBF
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    Expansion et connectivité : Baie compatible
    M.2 2280
    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
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    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
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    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
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    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
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    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
    20 g @ 20-2000 Hz
    Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)
    20 g @ 20-2000 Hz
    Général : Type de mémoire flash NAND
    3D triple-level cell (TLC)
    Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
    500000 IOPS
    Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
    450000 IOPS
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