KIOXIA BG5 Series - SSD - 1024 Go - client - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) (KBG50ZNV1T02)_1
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    KIOXIA BG5 Series - SSD - 1024 Go - client - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) (KBG50ZNV1T02)

    KBG50ZNV1T02
    Kioxia ssd

    KIOXIA BG5 Series KBG50ZNV1T02

    -SSD
    -1024 Go
    -client
    -interne
    -M.2 2280
    -PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    -Poids Brut: 0,02 Kg
    -Sku: 7732631
    166,44 €
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    Description

    KIOXIA BG5 Series KBG50ZNV1T02

    SSD1024 GoclientinterneM.2 2280PCIe 4.0 x4 (NVMe)Poids Brut: 0,02 Kg
    Détails du produit
    KBG50ZNV1T02
    8592978401214
    859297840121
    KBG50ZNV1T02
    10 Produits

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    KIOXIA BG5 Series KBG50ZNV1T02 - SSD - 1024 Go - client - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Général : Type de périphérique
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Dimensions (LxPxH)
    22 mm x 80 mm x 2.23 mm
    Général : Poids
    6 g
    Général : Largeur
    22 mm
    Général : Profondeur
    80 mm
    Général : Hauteur
    2.23 mm
    Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
    0 °C
    Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
    85 °C
    Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement
    0 - 90% RH
    Général : Garantie du fabricant
    Garantie de 3 ans
    Garantie du fabricant : Service et maintenance
    Garantie limitée - 3 ans
    Général : Type
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Capacité
    1024 Go
    Général : Interface
    PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Expansion et connectivité : Interfaces
    1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - clé M.2 M
    Général : Format
    M.2 2280
    Général : Caractéristiques
    Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH
    NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH, Host Memory Buffer (HMB)
    NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH, Host Memory Buffer (HMB)
    Performances : Débit de transfert interne
    3500 Mo/s (lecture) / 2900 Mo/s (écriture)
    Fiabilité : Fiabilité MTBF
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
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    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    Expansion et connectivité : Baie compatible
    M.2 2280
    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
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    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
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    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)
    20 g @ 20-2000 Hz
    Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)
    20 g @ 20-2000 Hz
    Général : Type de mémoire flash NAND
    3D triple-level cell (TLC)
    Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
    500000 IOPS
    Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
    450000 IOPS
    Alimentation : Consommation électrique
    4.3 Watt (actif) ¦ 3 mW (mode L1.2)
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