Description
Samsung 990 Pro MZ-V9P4T0BW SSDchiffré4 TointerneM.2 2280PCIe 4.0 x4 (NVMe)AES 256 bitsTCG Opal EncryptionPoids Brut: 0,07 KgDétails du produit
Référence MZ-V9P4T0BW
EAN13 8806094947205
UPC 880609494720
MPN MZ-V9P4T0BW
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Fiche technique
Général : Description du produit Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 To - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Général : Type de périphérique Lecteur à semi-conducteurs - interne Général : Dimensions (LxPxH) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm Général : Poids 9 g Général : Largeur 22 mm Général : Profondeur 80 mm Général : Hauteur 2.3 mm Divers : Normes de conformité IEEE 1667 Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement 0 °C Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement 70 °C Général : Type Lecteur à semi-conducteurs - interne Général : Capacité 4 To Général : Interface PCIe 4.0 x4 (NVMe) Expansion et connectivité : Interfaces PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Général : Format M.2 2280 Général : Caractéristiques Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil Performances : Débit de transfert interne 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture) Fiabilité : Fiabilité MTBF 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures 1, 500, 000 heures Expansion et connectivité : Baie compatible M.2 2280 Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement) 0.5 ms half-sine Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos) 1500 g Général : Algorithme de chiffrement AES 256 bits Général : Type de mémoire flash NAND Cellule multiniveaux (MLC) Général : Cryptage matériel Oui Performances : Écriture aléatoire 4 Ko maximum 1550000 IOPS Performances : Lecture aléatoire maximale 4 ko 1600000 IOPS Logiciels & Configuration requise : Logiciel(s) inclus Samsung Magician Software