Samsung 990 PRO - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG O... (MZ-V9P4T0BW)_1
    • Samsung 990 PRO - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG O... (MZ-V9P4T0BW)_1

    Samsung 990 Pro - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG O... (MZ-V9P4T0BW)

    MZ-V9P4T0BW
    Samsung

    Samsung 990 Pro MZ-V9P4T0BW

    -SSD
    -chiffré
    -4 To
    -interne
    -M.2 2280
    -PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    -AES 256 bits
    -TCG Opal Encryption
    -Poids Brut: 0,07 Kg
    -Sku: 8644935
    466,02 €
    TTC
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    Description

    Samsung 990 Pro MZ-V9P4T0BW

    SSDchiffré4 TointerneM.2 2280PCIe 4.0 x4 (NVMe)AES 256 bitsTCG Opal EncryptionPoids Brut: 0,07 Kg
    Détails du produit
    MZ-V9P4T0BW
    8806094947205
    880609494720
    MZ-V9P4T0BW
    79 Produits

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 To - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Général : Type de périphérique
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Dimensions (LxPxH)
    22 mm x 80 mm x 2.3 mm
    Général : Poids
    9 g
    Général : Largeur
    22 mm
    Général : Profondeur
    80 mm
    Général : Hauteur
    2.3 mm
    Divers : Normes de conformité
    IEEE 1667
    Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
    0 °C
    Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
    70 °C
    Général : Type
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Capacité
    4 To
    Général : Interface
    PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Expansion et connectivité : Interfaces
    PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
    Général : Format
    M.2 2280
    Général : Caractéristiques
    Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil
    Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Support de mise en veille de l'appareil, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
    Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Support de mise en veille de l'appareil, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
    Performances : Débit de transfert interne
    7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture)
    Fiabilité : Fiabilité MTBF
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
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    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
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    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    1, 500, 000 heures
    Expansion et connectivité : Baie compatible
    M.2 2280
    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)
    0.5 ms half-sine
    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)
    1500 g
    Général : Algorithme de chiffrement
    AES 256 bits
    Général : Type de mémoire flash NAND
    Cellule multiniveaux (MLC)
    Général : Cryptage matériel
    Oui
    Performances : Écriture aléatoire 4 Ko maximum
    1550000 IOPS
    Performances : Lecture aléatoire maximale 4 ko
    1600000 IOPS
    Logiciels & Configuration requise : Logiciel(s) inclus
    Samsung Magician Software
    Alimentation : Consommation électrique
    5.5 Watt (moyenne) ¦ 55 mW (inactif)
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    Référence: P53555-B21

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    853,68 €
    Détails
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