Client SSD 512Gb NVMe - PCIe M.2 2230 (KBG50ZNS512G)

Fiche technique

Général : Description du produit

KIOXIA BG5 Series KBG50ZNS512G - SSD - 512 Go - client - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

22 mm x 30 mm x 2.23 mm

Général : Poids

2.9 g

Général : Largeur

22 mm

Général : Profondeur

30 mm

Général : Hauteur

2.23 mm

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

85 °C

Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement

0 - 90% RH

Général : Garantie du fabricant

Garantie de 3 ans

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 3 ans

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

512 Go

Général : Interface

PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - clé M.2 M

Général : Format

M.2 2230

Général : Caractéristiques

Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH, commande de désinfection
NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH, Host Memory Buffer (HMB), commande de désinfection
NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH, Host Memory Buffer (HMB), commande de désinfection

Performances : Débit de transfert interne

3500 Mo/s (lecture) / 2700 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
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1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

M.2 2230

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (en fonctionnement)

1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
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Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)

1500 g @ 0, 5 ms
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1500 g @ 0, 5 ms

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (en fonctionnement)

20 g @ 20-2000 Hz

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)

20 g @ 20-2000 Hz

Général : Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

400000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

430000 IOPS

Alimentation : Consommation électrique

4.1 Watt (actif) ¦ 3 mW (mode L1.2)