Micron 5400 Pro - SSD - Read Intensive - chiffré - 480 Go - interne - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - AES 256 ... (4XB7A82287)

Fiche technique

Général : Description du produit

Micron 5400 PRO - SSD - Read Intensive - 480 Go - SATA 6Gb/s

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

80 mm x 22 mm x 3.9 mm

Général : Largeur

80 mm

Général : Profondeur

22 mm

Général : Hauteur

3.9 mm

Divers : Normes de conformité

EN 55032 Class B, Micron Green Standard, RoHS, SI 2012/3032 RoHS, SI 2016/1091 Class B, UKCA, FCC CFR47 Part 15 B, cUL, UL, UL 60950-1, IEC 60950-1 : 2005 Second Edition, EN 60950-1 : 2006+A11 : 2009+A1 : 2010+A12 : 2011+A2 : 2013, BSMI CNS 13
UL, BSMI CNS 13438 Class B, cUL, EN 60950, IEC 60950, ICES-003 Class B, EN55024 Class B, RoHS, UL 60950-1, FCC CFR47 Part 15 B,

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

70 °C

Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement

5 - 95 % (sans condensation)

Général : Garantie du fabricant

1 an de garantie

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 1 an

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

480 Go

Général : Interface

SATA 6Gb/s

Général : Débit de transfert de données

600 Mo/s

Performances : Débit de transfert du lecteur

600 Mo/s (externe)

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card

Général : Format

M.2 2280

Général : Conçu pour

ThinkEdge SE450 7D8T

Information de compatibilité : Conçu pour

Lenovo ThinkEdge SE450 7D8T

Général : Caractéristiques

Exclusive-OR (XOR), support Sanitize Cryptographic Erase, technologie 3D NAND à 176 couches
Technologie 3D NAND à 176 couches, support Sanitize Cryptographic Erase, Exclusive-OR (XOR)
Technologie 3D NAND à 176 couches, support Sanitize Cryptographic Erase, Exclusive-OR (XOR)

Performances : Débit de transfert interne

540 Mo/s (lecture) / 520 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures
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3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures
3, 000, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

M.2 2280

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini

-40 °C

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi

85 °C

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)

1500 g @ 0, 5 ms
1500 g @ 0, 5 ms
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1500 g @ 0, 5 ms

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)

3.13 gRMS @ 5-800 Hz

Général : Algorithme de chiffrement

AES 256 bits

Général : Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

Général : Cryptage matériel

Oui

Performances : Endurance SSD

1324 TB

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

95000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

37000 IOPS

Général : Classe d'entraînement

Read Intensive

Performances : Écritures de lecteur par jour (DWPD)

1.5

Performances : Classe d'entraînement

Read Intensive

Performances : Temps de latence moyen

42 µs
42 μs

Alimentation : Consommation électrique

2.5 Watt (lecture) ¦ 3.1 Watt (écriture)

Fiabilité : Erreurs irrécupérables

1 sur 10^17