SSD - 1000 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 3.1 x4 (NVMe) (INSSD1TM280NM2X)

Fiche technique

Général : Description du produit

Integral M2 Series - SSD - 1000 Go - PCIe 3.1 x4 (NVMe)

Général : Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Dimensions (LxPxH)

22 mm x 80 mm x 2.25 mm

Général : Poids

10 g

Général : Garantie du fabricant

Garantie de 3 ans

Général : Profondeur

80 mm

Général : Hauteur

2.25 mm

Général : Largeur

22 mm

Garantie du fabricant : Service et maintenance

Garantie limitée - 3 ans

Divers : Normes de conformité

FCC, RoHS, UKCA

Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement

0 °C

Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement

70 °C

Caractéristiques d'environnement : Taux d'humidité en fonctionnement

5 - 95 % (sans condensation)

Dimensions et poids (emballé) : Poids emballé

58 g

Général : Format

M.2 2280

Général : Interface

PCIe 3.1 x4 (NVMe)
PCIe 3.1 x4 (NVMe)

Général : Type

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Général : Capacité

1000 Go
1000 Go

Expansion et connectivité : Interfaces

1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - M.2 Card

Général : Caractéristiques

InnoGrit IG5216, NVM Express (NVMe) 1.4, prise en charge TRIM, Wear Leveling Support, Ultra-efficient Block Management, S.M.A.R.T.

Alimentation : Consommation électrique

2871 mW (lecture) ¦ 1056 mW (inactif) ¦ 3802 mW (écriture)

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage maxi

85 °C

Caractéristiques d'environnement : Température de stockage mini

-40 °C

Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)

1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0, 5 ms
1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0, 5 ms
1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0, 5 ms
1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0, 5 ms

Performances : Débit de transfert interne

3450 Mo/s (lecture) / 3200 Mo/s (écriture)

Fiabilité : Fiabilité MTBF

1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures
1, 500, 000 heures

Expansion et connectivité : Baie compatible

M.2 2280

Caractéristiques d'environnement : Tolérance aux vibrations (au repos)

20 g @ 10-2000 Hz

Général : Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

Performances : Endurance SSD

512 TB

Performances : Lecture aléatoire 4 Ko

290000 IOPS

Performances : Écriture aléatoire 4 Ko

280000 IOPS

Références spécifiques

UPC

505528844736

EAN-13

5055288447363

MPN

INSSD1TM280NM2X