Samsung 990 EVO - SSD - chiffré - 2 To - interne - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits ... (MZ-V9E2T0BW)_1
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    Samsung 990 EVO - SSD - chiffré - 2 To - interne - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits ... (MZ-V9E2T0BW)

    MZ-V9E2T0BW
    Samsung

    Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW

    -SSD
    -chiffré
    -2 To
    -interne
    -M.2 2280
    -PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
    -AES 256 bits
    -TCG Opal Encryption 2.0
    -Poids Brut: 0,08 Kg
    -Sku: 9806732
    144,90 €
    TTC
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    Retours accepté sous 14 jours

    Description

    Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW

    SSDchiffré2 TointerneM.2 2280PCI Express 5.0 x4 (NVMe)AES 256 bitsTCG Opal Encryption 2.0Poids Brut: 0,08 Kg
    Détails du produit
    MZ-V9E2T0BW
    8806095300269
    880609530026
    MZ-V9E2T0BW
    12 Produits

    Fiche technique

    Général : Description du produit
    Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - 2 To - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
    Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - 2 To - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
    Général : Type de périphérique
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Dimensions (LxPxH)
    22 mm x 80 mm x 2.38 mm
    Général : Poids
    9 g
    Général : Largeur
    22 mm
    Général : Profondeur
    80 mm
    Général : Hauteur
    2.38 mm
    Divers : Normes de conformité
    IEEE 1667
    Caractéristiques d'environnement : Température minimale de fonctionnement
    0 °C
    Caractéristiques d'environnement : Température maximale de fonctionnement
    70 °C
    Général : Garantie du fabricant
    Garantie de 5 ans
    Garantie du fabricant : Service et maintenance
    Garantie limitée - 5 ans
    Général : Type
    Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Général : Capacité
    2 To
    Général : Interface
    PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
    PCIe 5.0 x2 (NVMe)
    Général : Format
    M.2 2280
    Général : Caractéristiques
    Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appar
    Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, Cache LPDDR4 DRAM 2 Go, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
    Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, Cache LPDDR4 DRAM 2 Go, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
    Performances : Débit de transfert interne
    5000 Mo/s (lecture) / 4200 Mo/s (écriture)
    Expansion et connectivité : Baie compatible
    M.2 2280
    Caractéristiques d'environnement : Résistance aux chocs (au repos)
    1500 g @ 0, 5 ms
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    1500 g @ 0, 5 ms
    1500 g @ 0, 5 ms
    Général : Algorithme de chiffrement
    AES 256 bits
    Divers : Détails du paquet
    Boîte
    Général : Type de mémoire flash NAND
    3 bits par cellule (TLC)
    Général : Cryptage matériel
    Oui
    Performances : Lecture aléatoire 4 Ko
    22000 IOPS
    Performances : Écriture aléatoire 4 Ko
    90000 IOPS
    Performances : Écriture aléatoire 4 Ko maximum
    800000 IOPS
    Performances : Lecture aléatoire maximale 4 ko
    700000 IOPS
    Logiciels & Configuration requise : Logiciel(s) inclus
    Samsung Magician Software
    Alimentation : Consommation électrique
    5.4 Watt (lecture) ¦ 4.7 Watt (écriture)
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